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孙洋; 董亚明; 陈勇华; 陈兆南; 谭玲; 邹军; 周圣明;
华东理工大学;
上海师范大学;
中国科学院上海光学精密机械研究所;
LiAlO2; 原子力显微镜; 表面粗糙度;
机译:新型γ-LiAlO_2衬底的生长和性能研究
机译:氮掺杂直拉生长硅衬底上外延层的晶体缺陷(Ⅰ)―晶体结构的研究―
机译:衬底表面粗糙度对对称掺杂BN的曲折形石墨烯纳米带场效应晶体管性能影响的数值研究
机译:低功耗SoC应用中22nm节点外延三角形掺杂沟道MOS晶体管反向衬底偏置效应的研究
机译:2D WSE2对节能隧道晶体管的新型退化掺杂的探索
机译:使用掺杂硅激光掺杂晶体硅衬底 纳米粒子
机译:理解应变在p型In(x)Ga(1-x)as(Gaas衬底)和In(0.53 + x)Ga(0.47-x)as(on on)上的孔隙尺寸裁剪中的作用的理论形式Inp substrates)调制掺杂场效应晶体管
机译:掺杂的Ⅲ-n块状晶体和自支撑的掺杂Ⅲ-n衬底的生产方法,以及掺杂的Ⅲ-n块状晶体和自支撑的掺杂Ⅲ-n衬底
机译:用作横向VMOS晶体管的晶体管结构包括n掺杂的衬底层,p +掺杂的层,外延生长的n掺杂的层,p掺杂的p阱,p +掺杂的袋和多晶硅层
机译:制备掺杂的III-N块状晶体和独立式III-N衬底的方法以及掺杂的III-N块状晶体和独立式III-N衬底
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