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吴春雷; 郑友进; 朱瑞华; 王丹; 付斯年; 黄海亮;
牡丹江师范学院理学院;
直流热阴极PCVD; 氮掺杂; Ar浓度; 纳米金刚石膜; 电阻率;
机译:压力对WC-Co衬底上掺硼和氮掺杂的HFCVD金刚石膜生长的影响
机译:氮掺杂对化学气相沉积金刚石膜生长速率和织构演变的影响
机译:晶粒尺寸和氮掺杂对超纳米晶金刚石膜力学性能的影响
机译:甲烷浓度对硼掺杂纳米晶CVD金刚石膜中电力运输性能的影响
机译:氮掺杂金刚石和硅掺杂铝镓氮化铝的电子发射光谱表征
机译:氮掺杂金刚石膜用于血红蛋白浓度的光学研究
机译:合成金属掺杂的类金刚石碳膜的方法
机译:磷掺杂的金刚石膜具有显着降低的电子发射电压,生产相同膜的过程以及使用所述磷掺杂的金刚石膜的电子源
机译:用氮和电极制成的纳米晶金刚石膜的N型掺杂
机译:用氮和由其制成的电极对纳米晶金刚石膜进行N型掺杂
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