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李赟; 赵志飞; 陆东赛; 朱志明; 李忠辉;
南京电子器件研究所;
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;
SiC衬底; 外延; 台阶形貌; 均匀性; 正交实验;
机译:10×100mm 4°离轴4H-SiC外延层的均匀性和形貌及其对器件性能的影响
机译:使用双三甲基甲硅烷基甲烷前体在4度偏轴Si和C面衬底上生长4H-SiC外延层的比较研究
机译:在100mm 4°离轴4H-SiC上基于氯化物的CVD工艺具有高度均匀性和降低的表面粗糙度
机译:均匀性和形态为10×100mm 4°轴外4H-SIC外延层及其对器件性能的影响
机译:AlN,4H-SiC,3C-SiC和ZrB2衬底上磷化硼的外延。
机译:3C–SiC(100)/ Si(100)衬底上外延石墨烯的结构和电子性能研究
机译:通过离子束沉积将外延siC层生长到轴上和轴外6H-siC衬底上。
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译:通过在SiC衬底上外延生长SiC外延膜来制造碳化硅单晶衬底的方法
机译:用于制造外延硅晶片的SIC单晶衬底以及用于外延硅晶片的SIC单晶衬底的方法
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