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王闯; 钱蓉; 孙晓玮;
上海微系统与信息技术研究所中国科学院;
功率赝配高电子迁移率晶体管; 微波单片集成电路功率放大器; 芯片级电磁场仿真; 低频振荡消除网络;
机译:适用于X波段相位阵列雷达应用的完全匹配的9 W紧凑型便携式MMIC高功率放大器
机译:AlGaN / GaN HEMT的可扩展大信号多谐波模型及其在C波段大功率放大器MMIC中的应用
机译:在O频段和C波段操作的分布式反馈激光器动态性能中的损伤波长的影响
机译:18GHz- / 28GHz波段增益增强反馈功率放大器使用实惠的GaN HEMT MMIC工艺
机译:使用Doherty技术提高氮化镓HFET技术中微微小区基站功率放大器MMIC的效率。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:具有三次谐波调谐电路的X波段GaN功率放大器mmIC
机译:Ku和K波段GaN高功率放大器mmIC。
机译:具有无条件稳定MMIC FET单元的高增益K波段功率放大器
机译:MMIC折叠式功率放大器
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