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白宣羽; 汪渊; 徐可为; 范多旺;
西安交通大学材料科学与工程学院;
西安;
710049 西安交通大学材料科学与工程学院;
710049 兰州交通大学光电技术与智能控制教育部重点实验室;
兰州;
730070;
铜; 互连; 扩散阻挡层;
机译:结合锰氧化物封装和自对准氮化硅铜氮化物阻挡层用于未来LSI互连中的铜布线的超薄势垒形成
机译:用于铜互连的具有高扩散电阻的10nm厚(TiVCr)N多组分扩散阻挡层的特性
机译:超薄铬添加Ru膜作为无核铜扩散阻挡层,用于高级铜互连
机译:铜在TaN阻挡层中扩散的定量分析。通过使用两级铜互连实现器件性能下降0.25μm-256Mbit DRAM
机译:开发高级铜互连的替代扩散阻挡层。
机译:具有无通孔多层金属互连的高度堆叠3D有机集成电路
机译:基于钽的铜金属化扩散阻挡层。
机译:非线性电路元件或互连结构,例如通过依次形成扩散阻挡层,铜层和氧化铜层在集成电路上形成氧化铜整流器
机译:通过向铜扩散阻挡层添加铝层来形成铜互连的方法
机译:具有扩散阻挡层的铜互连结构及其互连方法
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