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赵善麒; 李天望; 裴素华;
北京电力电子新技术研究开发中心;
复旦大学电子工程系;
山东师范大学半导体研究所;
电子束; 辐照; 功率半导体器件; 退火; 晶闸管;
机译:栅极偏置和光应力对高能电子束辐照的铟镓锌氧化物基薄膜晶体管器件特性的影响
机译:高能电子束辐照对基于IGZO的透明薄膜晶体管器件特性的影响
机译:半导体纳米添加剂对高能电子束辐照下能量累积相材料性能的影响
机译:纳米探测过程中电子束辐照对高压器件特性的影响研究
机译:改善中子俘获疗法中子辐照特性的物理工程研究(改善体内和中子辐照场的深剂量分布)
机译:CS2AGBIBR6基存储器件中的可见光辐照改善电阻切换特性
机译:关于B5TB杂并苯异构体的理论研究,用于改善有机电子器件中的半导体特性
机译:高能中子的剂量特性用于硅半导体器件的辐射损伤评估
机译:在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法降低金属间介电层的寄生电容的同时降低特性,同时减小p的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法
机译:辐照和退火半导体器件以改善器件特性
机译:玻璃钝化半导体器件的电子辐照工艺可改善反向特性
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