磁控溅射磁性薄膜成分含量和均匀性控制

摘要

用轮番溅射工艺在多靶磁控溅射设备上制备了SmCo薄膜。通过改变Sm,Co纯金属靶的溅射时间间隔和溅射功率来调整薄膜的化学成分和均匀性。实验表明,可以通过调整溅射电流来优化薄膜的化学成分。沿垂直膜面俄歇电子(AES)逐层分析证明,优化溅射工艺制备的薄膜化学成分分布均匀。电子衍射表明薄膜溅射态为非晶结构,经过400℃退火处理,薄膜开始晶化。VSM分析表明溅射态的薄膜为软磁特征。晶化后的薄膜表现为硬磁特征,450℃退火时薄膜的矫顽力最大,达80320A/m。薄膜呈现一定的各向异性。