预处理法消除晶体中氧化雾缺陷

摘要

消除氧化雾缺陷是提高单晶硅片质量的关键之一。氧化雾缺陷是由重金属杂质引起的,它的危害在于它能导致氧化层错,使器件成品率下降。消除氧化雾缺陷主要有以下两方面措施:1.保证氧化工艺的高纯条件,防止金属杂质的污染;2.提高硅片吸杂能力,以消除金属杂质对硅片表面层的影响。本文根据氧化雾缺陷的性质和单晶中的氧行为,对晶体进行了预热处理试验。