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华伟民; 陈美云; 沈雅珍; 董绵豫; 张松斌; 丁祖昌;
浙江大学;
光致发光; 掺杂; 液相外延; 砷化镓;
机译:金属有机气相外延和分子束外延生长的未掺杂GaAs在外加磁场中自由结合受体光致发光的研究
机译:在下降温度下(100) - 和(100) - 和(111)型GaAs底物生长的Si掺杂外延GaAs膜的光致发光研究
机译:液相外延生长的II型气体/ GaAs量子点的光致发光调查
机译:选择性区域冶金液相外延制造的Si掺杂INP纳米线的光致发光光谱研究
机译:通过自助分子束外延生长核心壳GaAs / Gaassb纳米线的微光致发光(MU-PL)研究
机译:利用原子层沉积的TiO2 / Al2O3栅叠层表征外延GaAs MOS电容器:Ge自掺杂和p型Zn掺杂的研究
机译:离子注入硅的固相和液相外延生长过程中掺杂剂沉淀和再分布的Z-对比成像
机译:砷化镓单晶晶片具有形成为衬底的表面,用于通过使用硅作为两性掺杂剂的液相外延生长n型层和p型层
机译:GaAs单晶晶片和GaAs液相外延晶片
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