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阎海滨; 程秀兰;
上海交通大学微电子学院;
半导体制造; 接触层; 铜扩散; 缺陷;
机译:Zr-Si-N扩散阻挡层在Cu / Si接触系统中的高温稳定性
机译:具有瞬态Ni扩散缓冲层的亚微米Cu / Sn键合技术在3DIC中的应用
机译:Si(111)衬底上的AlGaN / GaN HEMT中基于Ta的扩散阻挡层的欧姆接触电阻和表面形态的分析和优化
机译:Cu / TiN / TiSi / sub 2 // Si接触系统中扩散阻挡层TiN的研究
机译:64层计算机断层扫描在心脏护理中的成本效益以及对新技术的采用和扩散的分析。
机译:在Si(001)晶片和Cu覆盖层之间通过混合溅射技术生长的增强的Ti0.84Ta0.16N扩散阻挡层无需基板加热即可生长
机译:4H-和6H-siC同质外延层中的缺陷和杂质:识别,起源,对欧姆接触和绝缘层性能的影响和还原
机译:将干试剂装入使用的分析装置中,例如在生物技术和基因工程领域,应用干试剂转移储层,使其与分析单元接触
机译:与半导体存储器件中的掩埋扩散层形成接触的技术
机译:在半导体存储器中与潜入扩散层形成接触的技术
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