射频磁控溅射低温制备ITO薄膜

摘要

利用射频磁控溅射法低温制备铟锡氧化物薄膜,主要研究了氧氩流量比、溅射功率、溅射压强、沉积温度和靶基距等工艺参数对ITO薄膜结构和光电性能的影响。在优化的沉积条件即氧氩流量比0.1/25、溅射功率210 W、溅射压强0.2 Pa、靶基距2.0 cm和衬底为100℃的低温下制备的ITO薄膜电阻率为7.3×10-4Ω·cm、可见光范围内平均透光率为89.4%。在氩气气氛中200℃低温退火60 min后,ITO薄膜的电阻率降为3.8×10-4Ω·cm,透光率不变。