Si_(1-x)Ge_x/Si低维应变材料的发光机理

摘要

间接带隙Ｓｉ１ － ｘＧｅｘ 合金材料由于合金无序涨落而产生了无需声子参与的发光峰。自由激子局域化程度增加有利于无声子参与的带间复合发射，文章从能带工程角度出发，探索Ｓｉ１ － ｘＧｅｘ 合金低维应变材料发光的机理。提出利用应力生长Ｓｉ１ － ｘ Ｇｅｘ 量子点及其阵列是实现Ｓｉ１ － ｘＧｅｘ 低维材料室温发光的发展方向。