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胡明浩; 李磊; 饶全林;
电子科技大学电子科学技术研究院;
CMOS; 抗辐射加固; RHBD技术; DICE; D-Latch; 阈值LET;
机译:采用65 nm CMOS技术的低功耗,基于锁存器的多级时间数字转换器
机译:经过SEU加固的CMOS数据锁存器设计
机译:使用α粒子敏感的测试电路对CMOS标准单元D锁存器进行台式表征
机译:用于纳米级CMOS的新颖的低成本DNU在线自恢复RHBD锁存器设计
机译:带时间借用的基于锁存器的高速电路的结构延迟测试。
机译:0.18 µm CMOS工艺中的高速,低偏移动态锁存比较器的设计
机译:电子电路模拟器在CmOs闩锁研究中的应用。
机译:锁存电路,基于锁存电路的双倍数据速率环形计数器,混合计数设备,模数转换设备和CMOS图像传感器
机译:基于分子结纳米线交叉开关的反相器,锁存器和触发器电路,以及更复杂的电路,部分由基于分子结纳米线交叉开关的反相器,锁存器和触发器电路组成
机译:基于分子连接-纳米-交叉的逆变器,锁存器和跳动电路,以及更多的复杂电路,部分由基于分子连接-纳米-交叉的逆变器,锁存器和跳动电路组成
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