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硅化结形成技术

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摘要

详细地讨论和比较了三大类硅化结形成方法（ＰＪＳ，ＤＤＯ，ＩＴＭ）特别是后两种方法的原理及优、缺点，并分析了硅化结形成方法的未来发展趋势。

著录项

来源
《半导体技术》 |1996年第5期|31-35|共5页
作者
黄焕章; 张敏;
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作者单位

上海冶金研究所微电子学分部;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.24;
关键词
硅化物; 硅化结; MOS; PJS; DDO; ITM; 形成;

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