中子辐照6H-SiC晶体中的钉扎效应

摘要

分别对两种不同的6H-SiC晶体进行了总通量为5.74×1018n.cm-2、8.2×1018n.cm-2和1.72×1019n.cm-2的不同剂量的中子辐照,利用X射线衍射等手段观测了中子辐照引起的晶体内部损伤。结果表明:两种样品在不同的中子通量辐照下,消除部分原始缺陷的、纯度较高的样品辐照后的内部损伤明显小于纯度较低、内部原始缺陷较多的样品。样品的辐照损伤不仅取决于中子辐照剂量,还取决于其辐照时的成分和结构。晶体的结构缺陷和杂质,作为一种"钉扎",在辐照过程中作用极大,它们导致了晶体的长程缺陷(如位错)的大幅度增加。