氧化钇含量对氧化锆陶瓷微波介电性能的影响(英文)

摘要

研究了Y_2O_3含量对钇稳定氧化锫(YSZ)陶瓷微波介电性能的影响.通过热压烧结方法制备了YSZ陶瓷,对材料进行了X射线衍射分析和复介电常数测量。结果表明,当Y_2O_3含量从2%(摩尔分数)增加到12%时,复介电常数实部在19.49到23.39之间变化。当Y_2O_3含量为6%时,微波损耗达到最大值0.0789。对YSZ陶瓷的微波损耗机理进行了详细探讨,由于氧离子空位随交变电场的震动和移动而产生的漏导电流是电磁波损耗的主要原因。