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王国宏; 马骁宇; 王树堂; 曹青; 彭怀德; 李玉璋; 陈良惠;
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心;
LP-MOCVD; 发光二极管; 外延生长;
机译:铟锡氧化物AlGaInP橙色发光二极管的高度可靠运行
机译:通过双重粗糙化AlGaInP表面来改善AlGaInP发光二极管的输出功率
机译:使用n-AlGaInP层的化学湿法蚀刻制造的AlGaInP基发光二极管的提高的光提取效率
机译:高亮度AlGaInP橙色发光二极管
机译:用于固态照明的高功率III族氮化物发光二极管的研制
机译:以SACNTs为电流扩散层的AlGaInP发光二极管
机译:基于AlGaInP的发光二极管阵列的热分析与设计
机译:紫外发光二极管破坏水相橙色污染物及光催化作用。
机译:用于AlGaInP发光二极管的外延晶片和发光二极管
机译:基于AlGainP的发光二极管芯片及其制造方法
机译:具有algAINp黄光补偿单元的翻盖式白光甘蓝发光二极管及其制造方法
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