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卢德江; 蒋庄德;
西安交通大学精密工程研究所;
低温刻蚀; 微机电系统; 深宽比; 刻蚀滞后;
机译:通过金属辅助化学刻蚀自组装的纳米结构金,可用于高深宽比的硅微结构
机译:使用自组装金金属辅助化学刻蚀制备超高深宽比硅纳米结构
机译:球形光刻和金属辅助化学刻蚀制备高深宽比硅纳米结构及其润湿性
机译:用多层衬底制造的高深宽比单晶硅微结构
机译:使用六氟化硫/氧等离子体在硅中蚀刻高深宽比结构。
机译:改变高深宽比结构的表面形态的不同方法
机译:高深宽比深亚微米刻蚀轮廓控制-硅栅刻蚀
机译:单晶硅作为低温结构材料
机译:高深宽比微结构及其制造方法以及高深宽比微结构阵列及其制造方法
机译:通过使用临时多路复用工艺和射频涡调制技术对高深宽比soi结构进行刻蚀
机译:使用Yu脉冲等离子体蚀刻,沉积和交替进行高深宽比SOI结构的无缺口蚀刻
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