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陶凯; 俞跃辉; 郑智宏; 邹世昌;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
二氧化铪; 离子束增强沉积; 高k电介质;
机译:使用单一源前体的等离子体增强铪硅酸铪薄膜的原子层沉积
机译:在热二氧化硅上离子束溅射沉积制备(001)优先取向钛薄膜
机译:氧化铟和氧化铟锡氧化物通道铁电栅极薄膜晶体管,具有钇掺杂的二氧化铪 - 二氧化锆栅极绝缘体,由化学溶液方法制备
机译:改性离子束增强沉积法制备二氧化钒薄膜的相变分析
机译:反馈控制的整合和运行控制对氧化铪薄膜的等离子体增强的原子层沉积
机译:气溶胶沉积法制备掺-二氧化铈(GDC)薄膜的退火
机译:离子束沉积产生的氧化钽和二氧化硅薄膜的折射率与氧分压的关系
机译:离子束增强的原子和分子层沉积法制备薄膜及其选择性构图
机译:原子层沉积法中用卤化物掺杂部分氧化物薄膜的卤化物掺杂源,制备卤化物掺杂源,原子层沉积法中用卤化物掺杂部分氧化物薄膜和卤化物的方法用该方法制成的掺杂氧化物薄膜
机译:具有电化学沉积的具有亚微结构的钒二氧化钒薄膜的制备方法和使用相同方法制备的钒二氧化钒薄膜的制备方法
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