低磁场中掺锗GaAs晶体的生长

摘要

在４０００Ｇｓ的磁场和无磁场下用液体封止直拉法（ＬＥＣ）生长各种不同高掺锗浓度的ＧａＡｓ体单晶。用ＡＢ液和ＫＯＨ液腐蚀所生长的晶体，分别观察磁场中生长晶体的腐蚀条纹和腐蚀坑变化。通过电子探针微区分析和霍尔效应法探测锗杂质及其相关施主和受主浓度的变化。通过高光学效率的光致发光及高空间分辨率像谱技术，对不同掺锗浓度样品中点缺陷发光带进行分析。研究表明，磁场下生长的掺锗ＧａＡｓ晶体中，微缺陷和深能级点缺陷的浓度低，而且它们的分布均匀性得到了明显改善。