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多晶硅薄膜低温电学参数的模拟与分析

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本文研究了多晶硅薄膜在７７Ｋ下的电导率和迁移率特性．在多晶硅晶粒间界杂质分凝模型和界面载流子陷阱模型基础上，考虑载流子对晶粒间界势垒区的隧穿和热发射两种机制，对多晶硅薄膜电导率和迁移率的低温特性及其温度关系进行了模拟与分析，并与有关实验结果进行了比较．

著录项

来源
《低温物理学报》 |1994年第4期|277-283|共7页
作者
黄流兴; 魏同立;
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作者单位

东南大学微电子中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O511.2;
关键词
多晶硅; 薄膜; 电导率; 迁移率; 低温;

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