机译:沉积参数对低频PECVD法制备多晶硅薄膜结构,电学和光学特性的影响
Institute Nacional de Astrofisica, dptica y Electronics, INAOE, Puebla, Mexico;
Institute Nacional de Astrofisica, dptica y Electronics, INAOE, Puebla, Mexico;
Universidad Autdnoma de Ciudad Juarez, Electrical Deparment, Chihuahua, Mexico;
Institute Nacional de Astrofisica, dptica y Electronics, INAOE, Puebla, Mexico;
Institute Nacional de Astrofisica, dptica y Electronics, INAOE, Puebla, Mexico;
Institute Nacional de Astrofisica, dptica y Electronics, INAOE, Puebla, Mexico;
Institute Nacional de Astrofisica, dptica y Electronics, INAOE, Puebla, Mexico;
Institute Nacional de Astrofisica, dptica y Electronics, INAOE, Puebla, Mexico;
pecvd; plasma; polymorphous silicon;
机译:低频PECVD法制备多晶锗薄膜的沉积与表征
机译:ECR PECVD制备低介电常数SiOF薄膜的沉积特性
机译:硅烷流速对通过VHF PECVD技术生长的硅薄膜的结构,电学和光学性质的影响
机译:使用低频等离子体改善PECVD氮氧化硅薄膜的光损耗特性
机译:金属有机化学气相沉积法制备钽酸钽铌酸钾薄膜的结构,介电和光学性质
机译:通过等离子体增强原子层沉积制备的硅氧氮薄膜的微结构化学光学和电学性质的测量
机译:通过等离子体增强原子层沉积制备的硅 - 氧 - 氮膜的微观结构,化学,光学和电性能的测量