CMET, RTI-International, Research Triangle Park, NC 27709;
机译:沉积参数对低频PECVD法制备多晶硅薄膜结构,电学和光学特性的影响
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:RF PECVD法沉积氮氧化硅薄膜的光学性能研究
机译:使用低频等离子体改善PECVD氧氮化硅膜的光学损耗特性
机译:等离子体增强了硅薄膜的化学气相沉积:利用等离子体诊断技术表征不同频率和气体成分下的薄膜生长。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:射频增强等离子体化学气相沉积(RF pECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性质和沉积速率的影响