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使用等离子体处理衬底的设备及改善晶圆薄膜表面形貌的方法

摘要

本发明公开了一种使用等离子体处理衬底的设备及改善晶圆薄膜表面形貌的方法,其中,设备由一个衬底支撑件和多个陶瓷件构成,且各个陶瓷件具有不同高度的侧壁,每个陶瓷件均可活动套装在衬底支撑件的外周,通过上述的结构设计,可通过更换套装在衬底支撑件外周的陶瓷件,以实现衬底支撑件侧壁面积的调整,使用时,实现等离子体分布的改变,使得沉积速率和均匀性也随之改变,从而改变薄膜边缘的形貌,即通过设备硬件的结构调整可实现制备的晶圆薄膜形貌的改变;所述改善晶圆薄膜表面形貌的方法,是基于上述设备获得的;上述使用等离子体处理衬底的设备,具有结构简单、设计合理、简单易行等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN113802111A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 拓荆科技股份有限公司;

    申请/专利号CN202010538700.1

  • 发明设计人 林轩宇;柳雪;王琳琳;叶五毛;

    申请日2020-06-13

  • 分类号C23C16/458(20060101);C23C16/513(20060101);H01J37/32(20060101);

  • 代理机构21229 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人王翠

  • 地址 110179 辽宁省沈阳市浑南区水家900号

  • 入库时间 2023-06-19 13:45:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-31

    授权

    发明专利权授予

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