第十届国际GaAs集成电路学术年会简况

摘要

由IEEE支持的第十届GaAs IC学术年会于1988年11月6日至9日在美国田纳西州的Nashville市的Opryland Hotel举行。会议分三阶段进行:第一阶段是11月6日短期讲课,内容是GaAs IC的封装技术;第二阶段是11月7日至9日学术讨论会,第三阶段11月10—11日为美国国内讨论GaAs IC的制造技术会议,来自其他国家的学者不参加这个阶段的会议。 GaAs IC的学术年会自1979年以来,每年举行一次,会议规模越来越大,今年的会议有900人参加,在会上发表的论文有75篇。这个学术会对论文要求很高,特点不多的一般论文均被筛去,所以留下的75篇论文水平很高。