首页> 中国专利> 一种GaAs基微波器件、单片集成电路背孔的激光打孔加工方法

一种GaAs基微波器件、单片集成电路背孔的激光打孔加工方法

页面导航

摘要

一种GaAs基微波器件、单片集成电路背孔的激光打孔加工方法，属于电子元器件加工技术领域。其使用激光束照射在衬底背面形成背孔；在背面生长一层SiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-10

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B23K26/382 授权公告日:20160302 终止日期:20190711 申请日:20140711

专利权的终止
2016-03-02

授权

授权
2014-12-24

实质审查的生效 IPC(主分类):B23K26/382 申请日:20140711

实质审查的生效
2014-11-26

公开

公开

1. 一种GaAs基微波器件、单片集成电路背孔的激光打孔加工方法 [P] . 中国专利： CN104162745B . 2016.03.02
2. 一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法 [P] . 中国专利： CN102623336B . 2014.09.17
3. Polyimide passivation of GaAs microwave monolithic integrated circuit flip-chip [P] . 美国专利： US5502002A . 1996-03-26

机译： GaAs微波单片集成电路倒装片的聚酰亚胺钝化
4. Optical gain control of GaAs microwave monolithic integrated circuit distributed amplifier [P] . 美国专利： US4859965A . 1989-08-22

机译： GaAs微波单片集成电路分布式放大器的光增益控制
5. The turbojet which has the component, and this kind of component of the ceramic matrix composite material make which includes the hole and the said hole which can the laser by manner and the said manner which punch in the component of the ceramic matrix composite material make [P] . 日本专利： JP5303141B2 . 2013-10-02

机译：具有构成陶瓷基复合材料的成分的涡轮喷气机，包括以能够对陶瓷基复合材料的成分进行冲压的方式和所述方式进行激光打孔的孔和所述孔。