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阎培渝; 李龙土; 张孝文;
清华大学;
PLZT; 铁电薄膜; Sol-Gel法;
机译:工艺参数对通过Sol-gel衍生法在不锈钢上实现的铁电和反铁电PZT薄膜的结构和电性能的影响
机译:Ag掺杂对Sol-Gel制备高相对Ag浓度(2.5%,5%10%和15%)的SOL-GEL技术制备的CdO薄膜的结构和电性能的研究
机译:Sol-Gel掺杂Gd的铁电PLZT薄膜的光电性能
机译:工艺参数对铁钨粉末和薄膜磁性能的影响。
机译:生长温度对使用CpZr N(CH3)2 3 / C7H8鸡尾酒前体原子层沉积制备的ZrO2薄膜的结构和电性能的影响
机译:关于Sol-Gel法合成铁电层钙钛矿薄膜前体溶液的初步结果
机译:磁控溅射工艺参数对非晶碳薄膜电性能的影响
机译:表面的SOL-GEL工艺涂层上的SOL及其因此而形成的SOL-GEL工艺涂层
机译:用于形成铁电薄膜的SOL-GEL解决方案
机译:铁电薄膜形成的SOL-GEL解决方案
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