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韩德栋; 张国强; 任迪远; 余学锋; 郭旗; 陆妩;
中国科学院新疆物理研究所;
MOSFET; 不同沟道长度; 金属-氧化物-半导体场效应晶体管; 热载流子效应;
机译:热载流子抗扰度对具有N / sub 2 / O生长栅极氧化物的MOSFET中沟道长度和沟道宽度的依赖性
机译:关于n沟道MOSFET热载流子退化的沟道长度依赖性
机译:沟道长度为0.15μm的N-MOSFETS中第二和第一冲击电离降解的热载流子可靠性研究
机译:基于缺陷中心观点的35nm栅极长度MOSFET在沟道热载流子应力下缺陷产生的温度研究
机译:由于亚微米MOSFET器件的热载流子效应而导致的衬底电流模型。
机译:沟道长度对碳纳米管场效应晶体管对脱氧核糖核酸杂交的电响应的影响
机译:n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管在不同热载流子应力下的1 / f噪声
机译:减小150纳米以下沟道长度si mOsFET的沟道热电子产生的基极电流
机译:使用沟道限定层的不同角度的侧壁段限定至少两个不同的场效应晶体管沟道长度的方法
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和结型场效应晶体管(JFET)的组合,可用于通过改变流经MOSFET半导体沟道区(SCR)的电流来调制电流电压响应或减轻电磁或辐射干扰效应
机译:通过场效应例如半导体场效应可控制半导体组件的方法续接各种类型的场效应晶体管,例如N沟道MOSFET,双扩散MOSFET(DMOSFET)等。带有通道区的半导体本体
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