GaAs表面Si-δ掺杂的调制光谱研究

摘要

本文利用光调制光谱(PR）与分子束外延（MBE）结合的方法，原位测量GaAs（001）表面Si－δ掺杂结构样品，排除了FK振荡（FKOs）对St－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到Si－δ掺杂结构中价带连续态到导带半V-形势阱中子带的跃迁及带间跃迁相对于纯GaAs带间跃迁的红移。用简单的三角势模型，在理论上计算了该掺杂浓度下三角形势阱中电子子带的能级位置，波函数的分布及光吸收系数，与实验观察一致．