InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究

摘要

运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs (311)B 为衬底的In0.35Ga0.65As 模板上生长的InAs 表面量子点结构的反射谱. 在77K 温度下, 观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As 模板以及GaAs 衬底等)的调制信号. 来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰. 用一阶和三阶微分洛伦兹线形对PzR 谱中对应结构的实验数据进行了拟合,精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置. 对不同样品PzR 谱的差异进行了定性的说明.