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张艳红; 张滢清;
华侨大学信息学院;
耗尽型; 互补金属氧化物半导体; 低功耗; 电压源; 过充电; 过放电;
机译:基于PVDF-HFP的保护膜,用于可充电锂电池的阴极上的空气脱水
机译:基于垂直蘸耗尽结移相器的紧凑型高调制效率硅Mach-Zehnder调制器,用于芯片级集成
机译:基于0.18μm的BCD工艺设计RF芯片ESD保护多晶硅栅极DDSCR装置的设计
机译:基于氮化铝镓的增强型和耗尽型HEMT的工艺开发。
机译:基于尼龙基复合凝胶膜通过逐层静电型电刺用于具有高性能的可充电锂电池
机译:基于人机界面的Li / MnO2钮扣型旋转锂电池生产线控制系统设计
机译:用于锂电池过充电保护的氧化还原梭式添加剂
机译:半导体芯片开放测试电路和包括相同设计的半导体芯片测试系统,能够提高基于保护二极管的半导体芯片开放测试的可靠性
机译:芯片卡模块和用于防止芯片模块弯曲的装置,该模块基于加固框架,该加固框架设计为在固定位置弯曲,从而在超过弯曲力极限时保护芯片
机译:基于耗尽型场效应晶体管的静电放电保护电路
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