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林成鲁;
中科院上海微系统与信息技术研究所;
上海新傲科技有限公司;
上海201821;
SOI技术; 绝缘层上硅; 离子注入; 注氧隔离; 薄层转移; 硅集成电路;
机译:第一代和第二代富陷阱高电阻率SOI晶圆上的RF SOI CMOS技术
机译:商业200mm增强信号完整性高电阻率SOI基板上SOI CMOS技术的RF性能
机译:TDBC SOI技术可抑制PD SOI p-MOSFET中的浮体效应
机译:SOI高温材料和器件技术的最新进展
机译:低压氧化硅 - 钻头(SOI)CMOS技术数字电路设计技术
机译:CMOS-SOI技术中的纳米集成温度和热传感器
机译:基于SOI技术的像素检测器研发的最新进展
机译:用于绝缘体上硅(sOI)技术的非破坏性X射线,光学和电学材料表征技术
机译:使用晶片键合技术形成SOI衬底的方法以及使用SOI衬底制造高压互补双极晶体管的方法
机译:SOI FET和用于建立FET主体连接的方法,该方法具有高质量的匹配特性,并且对于部分耗尽的SOI技术没有面积损失
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