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共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题

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对作者研制的 RTD进行了 I-V特性测量 ,并重点分析了 :(1 ) I-V特性的湿度效应 ;(2 )负阻区“表观正阻”现象 ;(3 )用负阻值估算开关时间。以上问题的分析对

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2003年第3期|329-333|共5页
作者
张世林; 郭维廉; 梁惠来; 侯志娟; 牛萍娟; 赵振波; 郭辉;
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作者单位

天津大学电子信息工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN313.2;
关键词
共振隧穿二极管; RTD; I-V特性; 负阻伏安特性; 开关时间;

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