共振隧穿二极管的直流变温特性

摘要

优化设计了GaAs／InGaAs／A1As双势垒异质结构，采用台面工艺实现了RTD的器件制备，在3～350K温度范围内对器件的直流特性进行了测试分析。实验结果表明，受热电子发射电流的影响，当测试温度T〉77K时，GaAs基RTD的直流特性参数随温度变化显著；而当T％77K后，器件直流特性趋于饱和。基于实验数据外推的最高工作温度和极限负阻温度分别为370K和475K。