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彭英才; X.W.Zhao; 傅广生;
河北大学;
Department of Physics;
Tokyo University of Science;
Tokyo;
Japan;
无机非金属材料; Si基纳米发光材料; 评述; 密度分布; 自组织化生长;
机译:通过各向异性电迁移诱导的Si(110)-16 x 2表面上的生长,完美控制有序排列的完全有序的g化硅化nano纳米晶的原子精确自组织
机译:SI1-YCY合金在单晶SI中表征为自组织,有序,纳米级富C团聚体的表观生长
机译:Si / Silica / Er2Si2O7核-壳纳米线异质结构的自组织生长及其发光
机译:在微米和纳米级图案化Si衬底上生长的GaN基发光二极管的光电性能
机译:基于硅基纳米结构:Si2Te3纳米线和纳米液体的生长和表征
机译:Si(111)上生长的SiGe纳米线的有序阵列的明亮光致发光
机译:si(111)和si(100)上pb的理论研究,H-钝化si纳米线的全局搜索,以及mo的高度局域化的准原子最小基轨道的构造
机译:从用于GaN半导体晶粒生长的Si晶片,用于GaN发光元件和表面的晶片使用Si的晶片。
机译:在具有绝缘层的Si基板上局部定义Si纳米晶体的生产,该层可用于电子开关技术中,气相Ga沉积在绝缘层中的孔中,纳米晶体从Ga-Si共晶中生长出来
机译:纳米晶粒分布材料,是其中纳米尺寸的晶粒存在的纳米晶粒分布材料
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