Si基Ⅱ-Ⅵ族发光晶体材料生长方法的对比研究

摘要

该文利用MOCVD技术,采用各种对Si衬底处理的方法,如氢终止法、氮化法、等离子体轰击方法、两步生长法、溅射缓冲层法等进行了试验与研究,通过X射线衍射技术（XRD）、光致发光技术（PL）、扫描电子显微术（SEM）、透射电子显微术（TEM）等检测,并对其X射线衍射光谱、拉谱光谱、吸收光谱及不同温度下的光致发光光谱分析,发现外延晶体的生长质量得到了明显提高.在实验过程中,我们也发现Ⅱ-Ⅵ族源气体的流量比、衬底温度、退火时间和退火温度对外延晶体的生长质量也有重要的影响.

目录

文摘

英文文摘

§1绪论

§1.1 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的发展和应用

§1.2 Si作为衬底的意义

§1.3 Si衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体所存在的问题及解决办法

§1.4国内外研究现状及论文的主要研究内容

§2材料生长研究的实验手段

§2.1材料生长制备系统(MOCVD)

§2.2外延片的质量检测与光谱分析

§3 Ⅱ-Ⅵ族材料生长方法的对比研究

§3.1氢终止方法的研究

§3.2氮化法的研究

§3.3等离子体轰击方法的研究

§3.3.1以MOCVD技术N-plasma轰击方法在Si衬底上生长ZnTe的研究

§3.4两步生长法的研究

§3.5复合法的研究

§3.5.1利用PECVD技术在Si衬底上生长ZnO的研究

§3.5.2利用MOCVD技术以ZnO作为缓冲层在Si衬底上生长ZnSe薄膜

§4结论

致谢

参考文献