机译:发光二极管,制造发光二极管的方法,集成发光二极管和制造集成发光二极管的方法,生长氮化物基III-V族化合物半导体的方法,光源单元单元,发光二极管
公开/公告号US7754504B2
专利类型
公开/公告日2010-07-13
原文格式PDF
申请/专利权人 AKIRA OHMAE;SHIGETAKA TOMIYA;YUKI MAEDA;MICHINORI SHIOMI;TAKAAKI AMI;TAKAO MIYAJIMA;KATSUNORI YANASHIMA;TAKASHI TANGE;ATSUSHI YASUDA;
申请/专利号US20060383526
发明设计人 AKIRA OHMAE;SHIGETAKA TOMIYA;YUKI MAEDA;MICHINORI SHIOMI;TAKAAKI AMI;TAKAO MIYAJIMA;KATSUNORI YANASHIMA;TAKASHI TANGE;ATSUSHI YASUDA;
申请日2006-05-16
分类号H01L21;
国家 US
入库时间 2022-08-21 18:52:24