公开/公告号CN100438109C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-11-26
原文格式PDF
申请/专利权人 索尼株式会社;
申请/专利号CN200610099847.5
申请日2006-05-16
分类号H01L33/00(20060101);H01L21/82(20060101);H01L21/20(20060101);H01L27/15(20060101);F21S4/00(20060101);G02F1/13357(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波;侯宇
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:01:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-07-08
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20081126 终止日期:20140516 申请日:20060516
专利权的终止
2008-11-26
授权
授权
2007-01-31
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-12-06
公开
公开
机译: 发光二极管及其制造方法,集成的发光二极管及其制造方法,生长基于氮化物的Ⅲ-Ⅴ族复合半导体的方法,用于生长基于氮化物的Ⅲ-Ⅴ族复合半导体的基质光源单元,光源二极管背光源,发光二极管照明装置,发光二极管显示器和电子仪器,电子装置及其制造方法
机译: 发光二极管及其制造方法,集成的发光二极管及其制造方法,生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的方法,用于生长基于氮化物的III-V族化合物,半导体的材料源电池单元,发光二极管背光源,发光二极管照明装置,发光二极管显示器和电子仪器,电子装置及其制造方法
机译: 发光二极管,其制造方法,集成发光二极管,其制造方法,生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的方法,用于生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的基板,光源单元,光源二极管背光源和发光二极管照明设备,发光二极管显示器,电子设备,电子设备及其制造方法