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姜岩峰; 郝达兵; 黄庆安;
北方工业大学信息工程学院微电子学科;
北京市现场总线技术与自动化重点实验室;
南京电子器件研究所;
东南大学教育部MEMS重点实验室;
碳化硅; 成核生长; 等离子化学汽相淀积;
机译:热丝辅助RF等离子CVD在Si(100)上生长金刚石和类碳
机译:使用线性TaC丝的热丝CVD法在大面积基材上合成金刚石
机译:快速热退火时间对热丝辅助等离子体增强化学气相沉积技术制备的Au / SiO_x薄膜的影响
机译:热丝辅助RF等离子体CVD制备的氮化硼膜中的应力和应变分析
机译:类热等离子体放电对金刚石薄膜的微波辅助等离子体CVD
机译:新型金刚石薄膜合成策略:无氢的微波等离子体CVD法制备甲醇和氩气氛
机译:RF等离子体CVD制备的碳薄膜等金刚石热电性能的评价
机译:热丝CVD法制备金刚石薄膜
机译:具有用于涂覆或处理大面积基板的激发气体的远程激发的等离子体辅助化学沉积工艺(CVD)(远程等离子体CVD工艺)及其执行装置
机译:CVD-SiC有限环,用于使用CVD-SiC材料的半导体等离子体蚀刻工艺
机译:等离子CVD法在高聚物基体上形成SiC薄涂层及其装置
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