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章浩; 张大伟; 余志平; 田立林;
清华大学电子工程系;
清华大学微电子学研究所;
集约模型; 纳米级MOSFET; 密度梯度模型; 多晶耗尽效应; 量子力学效应;
机译:纳米级双金属栅(Hf / AlN_x)和中能隙对称双栅MOSFET的反型电荷密度的解析模型
机译:基于二维解析计算的纳米级块状MOSFET输出电导的紧凑模型
机译:纳米尺度下N-MOSFET栅隧穿电流中多晶硅栅非均匀渐变掺杂分布的解析模型
机译:纳米级非掺杂对称DG-MOSFET的反演电荷密度的解析量子模型
机译:在纳米级增强模式三栅极III-V MOSFET中建模量子和库仑效应
机译:更正:使用解析肖特基势垒MOSFET模型分析黑磷晶体管
机译:包含量子力学效应的纳米级应变Si / Si1-xGex MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:具有空气/半导体反射镜的长波长垂直腔体激光器:用于硅mOsFET的纳米级栅极技术
机译:在晶体管中产生沟道区,例如垂直耗尽型MOSFET晶体管单元,包括通过要形成的沟道区构造多晶硅层
机译:成分相关相互作用的准化学模型的解析吉布斯-杜拜修正
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