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赵平海;
MESFET; 自对准工艺; 沟道区; 栅长;
机译:完全自对准栅重叠轻掺杂漏极多晶硅TFT的扭结效应和短沟道效应分析
机译:完全自对准栅重叠轻掺杂漏极多晶硅TFT中的短沟道效应和热载流子引起的不稳定性的降低
机译:硅锗衬底上带有应变硅沟道的短沟道双材料栅MOSFET的亚阈值电流和亚阈值摆幅分析模型
机译:具有非常大的k系数的短栅极长度外延沟道自对准GaAs MESFET
机译:短沟道多晶硅薄膜晶体管的表征和建模。
机译:具有部分低掺杂沟道的改进型4H-SiC MESFET
机译:硅锗(SiGe)衬底上带有应变硅(s-Si)沟道的短沟道双材料栅极(DMG)MOSFET阈值电压的分析模型
机译:短沟道Gaas mEsFET中的扩散效应
机译:具有浅源极/漏极区,自对准多晶硅触点和短沟道长度的MOS晶体管的生产工艺
机译:分离式多晶硅CMOS DRAM工艺,在形成P沟道栅隔离层的过程中,对导电区域进行选择性自对准硅化,对N沟道区域进行氮化物覆盖保护
机译:Gaas短沟道轻掺杂漏极Mesfet的制造
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