机译:完全自对准栅重叠轻掺杂漏极多晶硅TFT的扭结效应和短沟道效应分析
IMM, Rome, Italy|c|;
Drain field relief; kink effect; polysilicon; short channel effects; thin-film transistors (TFTs);
机译:完全自对准栅重叠轻掺杂漏极多晶硅TFT中的短沟道效应和热载流子引起的不稳定性的降低
机译:一个新的自洽模型,用于分析轻载漏极(LDD)和栅极重叠的LDD多晶硅TFT中热载流子引起的退化
机译:具有和不具有轻掺杂漏极结构的底层多晶硅薄膜晶体管的短沟道效应的实验研究
机译:栅极重叠轻掺杂漏极多晶硅薄膜晶体管,采用45°倾斜注入进行源极和漏极注入
机译:用于自对准IGZO TFT的植入活性源/漏区
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:无结双栅多晶硅TFT的表面电位计算和漏极电流模型
机译:用于制备高性能多晶硅TFT的脉冲紫外激光气相掺杂的评价