机译:一个新的自洽模型,用于分析轻载漏极(LDD)和栅极重叠的LDD多晶硅TFT中热载流子引起的退化
IFN-CNR, Via Cineto Romano 42, 00156-Roma, Italy;
polycrystalline silicon; thin film transistors; hot-carrier effects;
机译:不同LDD掺杂浓度的栅极重叠轻掺杂漏极(GOLDD)多晶硅薄膜晶体管的电学特性分析
机译:完全自对准栅重叠轻掺杂漏极多晶硅TFT中的短沟道效应和热载流子引起的不稳定性的降低
机译:完全自对准栅重叠轻掺杂漏极多晶硅TFT的扭结效应和短沟道效应分析
机译:双掺杂多晶硅栅极轻掺杂漏极(LDD)MOSFET的分析
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:采用轻掺杂和重掺杂发射极的横向pNp BJT中的辐射诱导增益降低