附加硅原子在硅表面台阶及纽结处的沉积

摘要

采用经验紧束缚近似方法计算p(2×2)重构硅(100)表面单层台阶及纽结处的平衡结构并模拟单个硅原子在其上的沉积行为。根据计算绘制出SA台阶、成键SB台阶、未成键SB台阶,以及SB台阶中的纽结等结构附近的等沉积能量图,确定沉积束缚点和一些可能的扩散路径。研究分析表明附加原子难于沉积于SA台阶边壁,但容易穿越SB台阶并生长于台阶边壁或沉积在SB台阶的纽结处以形成晶体生长。这些研究结果对于今后的理论及实验进一步研究原子尺度的半导体工艺制造有较大意义的指导。