首页> 中国专利> 使用含硅前驱物和原子氧进行高质量流体状硅氧化物的化学气相沉积

使用含硅前驱物和原子氧进行高质量流体状硅氧化物的化学气相沉积

摘要

本文描述将氧化硅层沉积于基材上的方法。所述方法可包括将基材提供至沉积室、在沉积室外产生氧原子前驱物以及将氧原子前驱物引入沉积室中的多个步骤。所述方法亦可包括将硅前驱物引入至沉积室中,其中硅前驱物和氧原子前驱物先在沉积室内混合。硅前驱物与氧原子前驱物反应而将氧化硅层形成于基材上,所沉积的氧化硅层可被退火。本文亦描述用来将氧化硅层沉积于基材上的系统。

著录项

  • 公开/公告号CN101310039B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-04-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN200780000130.3

  • 申请日2007-05-30

  • 分类号C23C16/40(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陆嘉

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-04-18

    授权

    授权

  • 2011-12-28

    著录事项变更 IPC(主分类):C23C 16/40 变更前: 变更后: 申请日:20070530

    著录事项变更

  • 2009-01-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-11-19

    公开

    公开

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