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汤海鹏; 冯嘉猷; 范玉殿; 李恒德;
清华大学材料科学与工程系;
CdTe; ICB; 外延技术; 薄膜技术; 薄膜生长; 蒸气压; 外延膜; 外延生长; 解理面; 预处理温度;
机译:单晶石墨烯缓冲液在非晶基底上的外延CDTE薄膜的生长
机译:Al_2O_3(0001)衬底上外延单晶CdTe薄膜的光学表征
机译:使用高质量CDTE(100)薄膜在GaAs(100)基板上的分子束外延生长INSB / CDTE和PBTE / CDTE异质系统
机译:单晶薄膜太阳能电池应用中外延CdTe / CdS异质结构的生长
机译:分子束外延在InSb衬底上生长的单晶ZnTe / CdTe / MgCdTe双异质结构太阳能电池。
机译:单晶外延TiO薄膜:金属和超导体类似于Ti金属
机译:用填充因子计算方法进行单晶,聚裂化和薄膜(CDTE,CIGS)太阳能电池效率的分析比较研究
机译:生长低缺陷单晶异质外延薄膜的方法
机译:分子束外延装置以及使用分子束外延装置制造III族氮化物的立方单晶薄膜的方法
机译:在单晶衬底上外延沉积伪二进制单晶半导体材料薄膜的方法
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