CMOS集成电路场区电离辐射加固技术分析

摘要

根据电离辐射引起场区隔离失效的机理，从版图设计及工艺技术两方面分析了场区电离辐射加固技术。结果表明，利用版图设计实现场区加固，需增加芯片面积并牺牲电路性能，一般适用于中小规模集成电路的加固。用工艺技术实现场区加固，对电路性能影响小，适用面广，是值得推荐的集成电路场区加固方法。