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Diseño de un circuito integrado CMOS que varía la impedancia del receptor de un enlace inductivo de una interfaz neuronal implantada

机译:CMOS集成电路的设计,该集成电路可改变植入的神经接口的感应链路的接收器的阻抗

摘要

El presente trabajo de tesis consiste en el diseño de un circuito integrado CMOS que varía la impedancia del receptor de un enlace inductivo para una interface neuronal implantada con el fin de generar una variación de voltaje en el circuito emisor de esta. Este diseño se basó básicamente en la conmutación de valores de condensadores para generar la variación de voltaje en el emisor mediante la activación o desactivación de transistores los cuales funcionan como llave. A la entrada de estos transistores se implantaron unos buffer, los cuales mejoran la transición de voltaje y los tiempos de propagación de las señales.Se realizó el diseño del esquemático del circuito así como el diseño del layout mediante el software EDA (ElectronicDesignAutomation) CADENCE.El esquemático fue desarrollado considerando dispositivos de la tecnología denominada AMS0.35. Esta tecnología pertenece a la compañía AMS y permite la fabricación de transistores MOSFET con canales de 350 nm de longitud mínima.Para la elaboración del layout se utilizó la herramienta Layout XL de Cadence y se utilizó la herramienta ASSURA para validar cada uno de los bloques. En el diseño de los layout se corroboro el uso de las reglas de diseño con la herramienta DRC (Design Rule Check), la equivalencia entre el esquemático y el layout con la herramienta LVS (Layout Versus Schematic) y finalmente la extracción de elementos parásitos usando la herramienta Assura QRC.Se convalido el funcionamiento del circuito y el cumplimiento de los requerimientos mediante simulaciones. Los resultados más destacables son los de potencia en el cual obtuvimos un valor de 167.2uW, juntos con los resultados de modulación teniendo 4 bits o 16 números para realizar la conmutación y así poder tener 16 amplitudes diferentes en el emisor, los tiempos de propagación obtenidos de 618.5ps y 660ps.El área total del circuito modulador fue de 0.0942mm2.
机译:本论文的工作包括CMOS集成电路的设计,该CMOS集成电路可以改变用于植入的神经接口的感应链路的接收器的阻抗,以便在其发射电路中产生电压变化。这种设计基本上是基于电容器值的切换,通过激活或去激活用作键的晶体管来产生发射极中电压的变化。在这些晶体管的入口处植入了一些缓冲器,以改善电压转换和信号的传播时间,使用EDA(ElectronicDesignAutomation)CADENCE软件进行了电路的原理图设计和布局设计。该原理图是考虑到称为AMS0.35的技术的设备而开发的。该技术属于AMS公司,允许制造最小长度为350nm沟道的MOSFET晶体管,为了准备布局,使用了Cadence的Layout XL工具,并使用ASSURA工具来验证每个模块。在布局设计中,通过DRC(设计规则检查)工具使用设计规则,通过LVS工具(布局与原理图)在原理图和布局之间进行等效处理,最后使用以下方法提取寄生元素通过仿真验证了电路的运行和要求的满足。最显着的结果是功率的结果,其中我们获得了167.2uW的值,再加上具有4位或16个数字的调制结果以进行换向,从而在发射器中具有16个不同的幅度,获得了传播时间618.5ps和660ps。调制器电路的总面积为0.0942mm2。

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  • 年度 2016
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