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赵丽霞; 张鹤鸣; 陈秉克;
河北普兴电子科技股份有限公司;
石家庄050200;
西安电子科技大学微电子学院;
西安710071;
表面光电压; 少数载流子; 扩散长度; 寿命; 外延; 衬底;
机译:未掺杂和掺Si的GaN外延膜中少数载流子扩散长度的表面光电压光谱
机译:表面光电压的原子建模:在Si(111):H中的应用
机译:表面光电压技术表征的短脉冲紫外线辐照下SiO_2-Si体系中总表面电荷的行为
机译:在线表面光散射评估Si_(0.8)Ge_(0.2)-on-Si外延质量:界面氧影响的案例研究
机译:通过表面光电压技术(半导体,辐射损伤,扩散长度)表征磷化铟和砷化镓。
机译:GaAs 111 B上Si掺杂InAs纳米线分子束外延生长过程中的合金形成
机译:分子束外延生长在Si / SiGe谐振带间隧道二极管中逻辑和存储器应用的电压摆幅分析
机译:扫描隧道显微镜和表面光电压研究si(001)表面的电荷动力学
机译:使用外延技术形成Si / Si-Ge界面并反转材料的半导体器件的制造方法
机译:利用表面光电压测量外延晶片微小载体扩散长度的方法
机译:在硅/硅锗外延层中掺入碳以提高Si-Ge双极技术的产量
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