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a-Si:H薄膜的表面光电压谱和光电化学特性研究

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摘要

采用表面光电压谱和光电化学方法,对不同掺杂类型的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的光伏响应和光电化学特性进行了研究,测定了a-Si:H薄膜的能带结构,为a-Si:H薄膜在太阳能电池上的应用提供了有用的基础数据和简单光伏测量方法.

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来源
《光谱实验室》 |2002年第5期|620-622|共3页
作者
崔毅; 王宝辉; 张力;
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作者单位

内蒙古民族大学化学系,内蒙古通辽市,028043;

大庆石油学院化学化工学院,黑龙江省安达市,151400;

内蒙古民族大学化学系,内蒙古通辽市,028043;

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正文语种 chi
中图分类其他光谱;
关键词
氢化非晶硅; 表面光电压谱; 光电化学;

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